锁拴效应的读音:suǒ shuān xiào yìng
锁拴效应的拼音:suo、shuan、xiao、ying
锁拴效应的简拼:SSXY
锁拴效应的首字母:S
锁拴效应的首字拼音:suo
分字拼音:应的拼音 拴的拼音 效的拼音 锁的拼音
IGBT锁拴效应IGBT在结构上隐含了N+PN-P+晶闸管。在发射极一侧(MOSFET源极)空穴电流流过短路电极的电压降一旦在0.5V以上时,就会有部分空穴流经PN+结,造成大量电子注入到P区并进入长基区,从而导致等效晶闸管的开通触发。这种触发现象称之为锁拴效应(latch up)。